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北京:加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程

北京:加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程

2021年1月20日上午,國務院新聞辦公室舉行新聞發布會,介紹落實五中全會精神,加快推進北京國際科技創新中心建設的有關情況。會上,北京市副市長、秘書長靳偉表示,到2025年,北京國際科技創新中心基本形成。到2035年,北..
【關注】?第三代半導體爭奪戰已打響???

【關注】?第三代半導體爭奪戰已打響!

第三代半導體材料成顯學,市場看好未來第三代半導體材料的各項優勢,但礙于成本仍貴,量產具有難度,為了加快技術上以及生產上的突破,單打獨斗困難,各方人馬進入團戰階段,越早把良率提升、成本降低、進入量產,越..
CREE科銳剝離LED業務,堅決邁向第三代半導體!

CREE科銳剝離LED業務,堅決邁向第三代半導體!

來源:第三代半導體風向 行家科技日亞化學、豐田合成、歐司朗、亮銳和科銳,是曾經叱咤產業的全球LED五大廠,CREE在LED產業和中國市場都創造過無數輝煌:北京的鳥巢、水立方夜景亮化,不斷創造光效記錄的白光封裝器件都..
碳化硅寫入十四五規劃,快充市場成為第三代半導體突破口

碳化硅寫入十四五規劃,快充市場成為第三代半導體突破口

2020年,當大多數快充電源廠商還在65W氮化鎵快充市場探索時,倍思開創性的推出了業界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產品,第一次將“碳化硅快充”從設想變為現實,開啟了碳化硅在快充領域商用的大門..
國產高可靠性碳化硅器件TO220F/TO220I封裝使得生產更便捷,電源更可靠

國產高可靠性碳化硅器件TO220F/TO220I封裝使得生產更便捷,電源更可靠

由于材料限制,傳統硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限。碳化硅功率器件以其優異的高耐壓、低損耗、高導熱率等性能,在工業領域大有可為。碳化硅二極管主要被用于PFC boost電路中替代Si FRD,隨..
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